একটি p-type অর্ধপরিবাহী তৈরী করতে সিলিকন এর সাথে যেটি যোগ (ডপিং) করতে হবে-

একটি p-type অর্ধপরিবাহী তৈরি করতে সিলিকন এর সাথে Indium যোগ করতে হবে।

p-type অর্ধপরিবাহীতে, পরমাণুতে একটি মুক্ত ইলেকট্রন থাকে যা সিলিকনের একটি মুক্ত ইলেকট্রন গর্তকে পূরণ করতে পারে। এই প্রক্রিয়াটিকে অতিরিক্ত গর্ত সৃষ্টি বলা হয়। Indium হল গ্রুপ III উপাদান। এই উপাদানটিতে তিনটি ইলেকট্রন থাকে যা সিলিকনের চারটি ইলেকট্রনকে পূরণ করতে পারে। এই প্রক্রিয়াটিকে অতিরিক্ত গর্ত সৃষ্টি বলা হয়। অতিরিক্ত গর্তগুলি ধনাত্মক চার্জ তৈরি করে, যার ফলে একটি p-type অর্ধপরিবাহী তৈরি হয়।

Phosphorous, antimony, এবং arsenic হল গ্রুপ V উপাদান। এই উপাদানগুলিতে পাঁচটি ইলেকট্রন থাকে যা সিলিকনের চারটি ইলেকট্রনকে পূরণ করতে পারে। এই প্রক্রিয়াটিকে অতিরিক্ত ইলেকট্রন সৃষ্টি বলা হয়। অতিরিক্ত ইলেকট্রনগুলি নেতিবাচক চার্জ তৈরি করে, যার ফলে একটি n-type অর্ধপরিবাহী তৈরি হয়।